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助成金情報

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ローム　研究公募2027
（申請期限：2026年11月16日）

2026 10/08

	ローム株式会社（本社：京都市）は、研究公募制度に基づき、2027年度より新たに開始する研究テーマを募集します。研究開発の活性化や、半導体をはじめとするエレクトロニクス技術の発展を目的に、大学や高等専門学校、公的研究機関に所属する研究者からの応募を受け付けます。本制度では、発展型共同研究や大型プロジェクト研究へ移行するようなテーマに加え、若手研究者による意欲的なテーマや、ロームのニーズに対して新たな視点からアプローチするテーマも歓迎します。採択後はロームとの共同研究として実施しますので、必要性や状況に応じて、ロームが保有する計測機器や機械・装置等の利用、PoC開発による検証も可能です。
申請期限	2026年11月16日
対象地域	全国
対象団体	大学・高等専門学校および公的研究機関に所属している研究者（個人またはグループ）で、応募時点で、研究期間の初年度に大学・高等専門学校および公的研究機関に所属する事が見込まれる方
対象活動	対象分野 1.新領域分野　2.実装研究分野　3.MEMS研究分野　4.パワーエレクトロニクス研究分野　5. LSI研究分野　6.生産技術研究分野　7.研究開発の環境改善・活性化分野 1.新領域分野 1-1. AIや統計的手法などデータサイエンス応用による各種課題解決技術　・上記技術を活用したパワーエレクトロニクス素子特性解析および回路の動作解析　関連論文：Auto Structural Optimization of Toroidal Coils Based on a Neural Network and a Genetic Algorithm 　・半導体の研究開発で得られる特性データ(例：IV特性)や画像データ(例：SEM像)が持つ形状的特徴量を抽出する数学的手法 1-2. テラヘルツ波などの電磁波を利用した各種アプリケーション技術、計測技術　・共鳴トンネルダイオード（RTD）を用いた応用システム開発　関連論文：Resonant Tunneling Diode Technology for Future Terahertz Applications 　・テラヘルツ波アプリケーション（イメージング、センシング、分析・計測技術など）の開発　関連論文：Industrial Applications of Terahertz Sensing: State of Play 1-3. 工法技術の探索　・SiC上に昇華成長したGrapheneの欠陥同定技術、欠陥抑制技術、各種アプリケーション技術　・SiC, GaN, GaAsなど低コスト化を目的とした複合基板作製に関わる要素技術、長期信頼性向上に資するエピ要素技術　・2D materialsの本格的なデバイス実装に向けた量産ウェハプロセスへの組み込み技術　・Multiscale Materials Modelingによる仮想実験空間で昇華法およびエピ成長などプロセスの高度化を図る技術 1-4. 省資源エッジAIと生物模倣による次世代ロボット知能化技術　・神経ネットワーク技術、昆虫型ニューロモルフィック技術、構造、行動、神経系を主とした生物模倣技術　・超小型、省電力デバイス（マイコン）向けリアルタイム機械学習技術　・エッジAIマイコンを用いた時系列信号のノイズフィルタリング技術　・リソース制限下（低性能マイコン・CPU）における高速物体検知技術　・低速移動ロボット向けDead Reckoning技術　・弊社開発中の「地図を使わない自律走行技術 NoMaDbot™」を使ったソーシャルロボット開発、アプリケーション開発　関連ページ：NoMaDbot │センサー技術 │コアテクノロジー │ 研究開発 │ ローム株式会社 – ROHM Semiconductor 1-5. 自由提案テーマ　・いずれにも含まれない、研究開発の活性化やエレクトロニクス技術の発展につながる応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】 AIアルゴリズム、機械学習、強化学習、最適化問題、確率統計学、自然言語処理、センシング、光学設計、分光分析、テラヘルツ波、ミリ波、RFデバイス（能動素子＆受動素子）、RFインターフェイス・実装技術、紫外線、赤外線、中性子線検出、2次元材料、ロボティクス、超小型電池、フォトニック結晶材料、シリコンフォトニクス、スピントロニクス、次世代半導体材料 2.実装研究分野 2-1. 異種材料接合の信頼性技術の探求　・半導体パッケージにおける強度信頼性評価技術の研究　関連論文：Degradation Mechanism of Silver Sintering Die Attach Based on Thermal and Mechanical Reliability Testing 　・樹脂と金属間の接合メカニズムの研究 2-2. 半導体パッケージにおける計算技術の開発　・第一原理計算・分子動力学法を活用した接合原理の研究　・接合部の信頼性・劣化試験の機械学習を含む新規解析による短時間化の研究　関連論文：Nine Point Bending Test Technique for Understanding of Sintered Silver Die Bonding Failure Mechanism 　・ワイヤボンディング・ダイボンディング材の寿命予測　関連論文：Degradation Mechanism of Silver Sintering Die Attach Based on Thermal and Mechanical Reliability Testing 2-3. 自由提案テーマ　・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】接合技術、表面処理、異種金属接合、金属樹脂接合、新規接合材料、CAE(Computer Aided Engineering)、分子動力学法(MD法) 3.MEMS研究分野 3-1. 圧電薄膜共振子の高性能化技術　・温度安定性に優れた共振子設計技術　・高Q値化および電気・音響インピーダンス整合技術　・高精度・高効率なシミュレーション技術　・新材料および新規構造を活用した次世代デバイス技術 3-2. 圧電薄膜デバイス向け高周波回路技術　・高周波発振回路の設計　・評価技術　・高性能高周波フィルタ回路技術 3-3. MEMS超音波トランスデューサ応用技術　・センシング、通信、計測分野への応用技術開拓　・新たな応用領域の創出 3-4. MEMSマイクロ冷却技術　・次世代電子機器向け高効率マイクロ冷却デバイスの研究開発 3-5. 電気光学効果（EO効果）を利用した光機能デバイス技術　・光制御・光変調デバイスの研究開発　・次世代フォトニクス応用技術の創出 3-6. 高耐圧Siキャパシタ・抵抗器の信頼性評価技術　・高耐圧Siキャパシタおよび大電力抵抗器の信頼性評価　・パルス駆動環境における劣化解析・寿命予測技術 3-7. 高機能ガスセンシング技術　・Liイオン電池の熱暴走早期検知に向けたガスセンシング技術　・複数ガス混在環境における高選択ガス検知および信号処理技術　・赤外線光源（1～10 μm）を活用した高感度ガスセンシング技術 3-8. 自由提案テーマ　・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】圧電デバイス、MEMS、超音波トランスデューサ、共振子、弾性波デバイス、電気光学効果（EO効果）、マイクロ冷却、高耐圧Siキャパシタ、大電力抵抗器、ガスセンサ、センシング技術、フォトニクス 4.パワーエレクトロニクス研究分野 4-1. パワーエレクトロニクス回路向け受動部品（コンデンサ、抵抗）の開発　・ショートモード故障を防止する高信頼性構造を備えた、高耐圧・高容量密度コンデンサの開発　・表面実装型抵抗における高放熱・高電力密度化技術 4-2. パワーエレクトロニクス回路におけるノイズ（EMI）抑制技術　・伝導・放射ノイズを根本的に低減する電源回路トポロジーおよび駆動技術　・高周波スイッチングノイズを対象とした、アナログ回路による自律型ノイズキャンセル技術 4-3. パワーモジュールの高機能化技術　・寄生インダクタンス・サージ・ノイズを最小化するモジュール構造および実装配線技術　・保護回路・周辺素子を統合するパワーモジュールの高密度実装技術、およびそれに伴う熱・ノイズ課題の解決 4-4. 自由提案テーマ　・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】コンデンサ、抵抗、伝導ノイズ、放射ノイズ、EMI、回路トポロジー、ノイズキャンセル、パワーモジュール、サージ、高密度実装 5. LSI研究分野 5-1. AIによるモータ制御技術　・小規模ハードウェアAIを用いた次世代モータ制御技術（ロボティクス、その他） 5-2. オンデバイス学習AI技術　・オンデバイス学習AI技術を活用した半導体デバイスの故障予測　関連ページ：Solist-AI™ソリューション \| ローム株式会社 – ROHM Semiconductor 5-3. IoTセキュリティ　・メモリ素子を活用したPUF技術の確立 5-4. LSIテスト・評価　・AI・機械学習を活用したLSIテスト技術（アダプティブテスト手法、異常検出、歩留まり予測、KGD分類等）　・高精度アナログ・ミクスドシグナルLSIの低コストテスト・評価技術　関連論文：Low Distortion Sinusoidal Signal Generator with Harmonics Cancellation Using Two Typesof Digital Predistortion 5-5. パワーGaNデバイス・GaN HEMTのアプリケーション応用に向けた高品質設計技術の確立 5-6. 自由提案テーマ・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】 AI、モータ制御、ロボティクス、オンデバイス学習、故障予測、セキュリティ、メモリ素子、PUF技術、機械学習、アダプティブテスト、異常検出、歩留まり予測、KGD、高精度アナログ、ミクスドシグナルLSI、低コストテスト、GaN HEMT、高品質設計技 6.生産技術研究分野 6-1. 半導体を含む電子部品に関連する組立技術 6-2. 半導体を含む電子部品生産工場の生産技術 6-3. スマートファクトリーに関するデジタルツイン技術及びビッグデータ解析技術 6-4. 自由提案テーマ　・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】接合技術、封止技術(樹脂成型、離型、材料、構造等)、表面処理、金属樹脂接合、異種金属接合、切断、分割、めっき、CAE、非破壊検査、機械学習、デジタルトランスフォーメーション、無人化、ロボティクス、ユーザーインターフェイス、画像処理、計測、ローカル5G通信、生産システム、ウォータージェット加工、レーザー微細加工、高速搬送、金型技術、デジタルツイン、バーチャルコミッショニング、異常検知、プローブレス電子部品特性計測技術 7.研究開発の環境改善・活性化分野（小規模の試験調査となる可能性があります） 7-1. 研究開発活動の作業安全や環境改善　・動作負荷軽減法や認知科学、安全工学や人間工学などの作業安全や環境改善に向けた定量的・工学的なアプローチによる調査試験 7-2. 研究者の知的活動の活性化　・人間行動や活動環境面からの科学的・定量的なアプローチによる調査研究 7-3. 自由提案テーマ（人文科学、社会科学、健康・運動科学などを含みます）　・上記いずれにも含まれない、この分野における応募者独自の視点に基づく提案【関連するキーワード】フィジビリティスタディ(feasibility study)、PoC（Proof of Concept）、調査研究、探索的研究、学術的調査試験、脳活動、快適性評価、社会統計学、環境デザイン、空間設計、リハビリテーション、筋骨格モデル、構造デザイン
助成金額	・5件程度を新規に採択予定・2027年4月1日以降の開始とし、年度単位で最長3年間・年度毎の研究申請上限は、1件あたり税別250万円
問合わせ先	ローム株式会社　研究公募事務局
MAIL	frd_adm@rohm.co.jp
URL	https://www.rohm.co.jp/rd/offer